ICS 29.045 CCS H 82 T/ZZB 2675—2022 TVS用硅单晶研磨片 Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS 2022 - 04 - 13发布 2022 - 05 - 13实施 浙江省品牌建设联合会 发布 团体标 准 T/ZZB 2675—2022 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................ II 1 范围 ................................ ................................ .............. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ .... 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ........ 2 4 产品分类 ................................ ................................ .......... 2 5 基本要求 ................................ ................................ .......... 2 6 技术要求 ................................ ................................ .......... 2 7 试验方法 ................................ ................................ .......... 5 8 检验规则 ................................ ................................ .......... 6 9 标志、包装、贮存和运输 ................................ ............................ 7 10 订货单（或合同）内容 ................................ ............................. 8 11 质量承诺 ................................ ................................ ......... 8 T/ZZB 2675—2022 II 前 言 本文件按照GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口。 本文件由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。 本文件主要 起草单位：浙江海纳半导体有限公司。 本文件参与起草单位 （排名不分先后 ）：浙江旭盛电子有限公司、浙江众晶电子有限公司、浙江星 宇能源科技有限公司、浙江华盛模具科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、浙江省质量合格评 定协会、开化县检验检测研究院、衢州职业技术学院。 本文件主要起草人：沈益军、肖世豪、潘金平、陈洪、饶伟星、张立安、史少礼、黄云龙、詹玉峰、 陈锋、牛小群、楼鸿飞、张超、汪新华、许琴、程富荣、苏文霞、冯小娟、梁奎、余天威。 本文件评审专家组长：金勇。 本文件由浙江省质量合格评定协会负责解释。 T/ZZB 2675—2022 1 TVS用硅单晶研磨片 1 范围 本文件规定了 瞬态电压抑制二极管 （TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的 术语和定义、产品 分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容 和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为 100 mm、125 mm、150 mm的 硅单晶研磨片。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改 单）适用于本 文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 155 1 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828.1 —2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量 限（AQL）检索的逐批检验抽样计 划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 12963 —2014 电子级多晶硅 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片和硅锭载流子复合寿命的 测试 非接触微波反射光电导衰减法 GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 T/ZZB 2675—2022 2 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 瞬态电压抑制二极管 transient voltage suppressor 是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏，简称 TVS。 4 产品分类 4.1 硅片按导电类型分为 N型、P型两种。 4.2 硅片的掺杂剂类型分为硼（ B）、磷（ P）两种。 4.3 硅片按表面取向可分为 {100}、{111}。 5 基本要求 5.1 设计研发 5.1.1 应具备产品全生命周期的设计能力和制程 能力，包括产品设计、配方设计、生产流程设计、工 艺设计以及 设备和工装设计等。 5.1.2 应具备关键技术研发能力，涉及直拉单晶硅生长技术、线切割加工技术、双面研磨加工技术、 化学清洗技术研发等，包括基于 PLC的温度自动控制、生长速度自动控制、转速自动控制、线速自动控 制、基于 CCD的直径自动控制、以及基于红外感应的厚度自动控制等技术研发。 5.2 原材料 5.2.1 原材料多晶硅应满足 GB/T 12963 —2014第4.2条中电子 2级要求。 5.2.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 26572 对限用物质限量的要求。 5.3 工艺及装备 5.3.1 应采用半导体硅单晶生长炉、金刚线切割机、双面研磨机、清洗机等自动化设备。 5.3.2 应具备硅片自 动分选仪，可实现硅片电阻率和厚度的精准分档和自动分片。 5.4 检验检测 应具备少数载流子寿命、氧含量、碳含量、位错密度、表面取向、导电类型、电阻率、直径、厚度、 总厚度变化、弯曲度、翘曲度等指标的检测能力。 6 技术要求 T/ZZB 2675—2022 3 6.1 理化性能 6.1.1 硅片的掺杂剂类型分为硼（ B）、磷（ P）两种。硅片的少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶 体完整性应符合表 1的规定。 表1 理化性能 项目 指标要求 少数载流子寿命，μ s ≥100 氧含量， atoms/cm3 ≤8.0×1017 碳含量， atoms/cm3 ≤1×1016 位错密度， 个/cm2 ≤10 6.1.2 表面取向及其偏离度应符合下列要求： a) 硅片的表面取向可分为 {100}、{111}。 b) 硅片的表面取向偏离度可分为正晶向和偏晶向两种： • 正晶向：偏离度为 0°±0.25°。 • 偏晶向：对 {111}硅片，有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的 <110>方向偏2.5°±0.25°或4.0°±0.25°。 6.2 电学性能