书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犆犆犛犎 ８２ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ４１３２５ — ２０２２ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G28 /G29 /G2A /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G29 /G31 /G32 /G33 犔狅狑犱犲狀狊犻狋狔犮狉狔狊狋犪犾狅狉犻犵犻狀犪狋犲犱狆犻狋狆狅犾犻狊犺犲犱犿狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊犳狅狉犻狀狋犲犵狉犪狋犲犱犮犻狉犮狌犻狋 ２０２２  ０３  ０９ /G34 /G35 ２０２２  １０  ０１ /G36 /G37 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G34 /G35 书 书 书前 　　 言 　　 本文件按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２０２０ 《 标准化工作导则 　 第 １ 部分 ： 标准化文件的结构和起草规则 》 的规定起草 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本文件起草单位 ： 有研半导体硅材料股份公司 、 山东有研半导体材料有限公司 、 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、 南京国盛电子有限公司 、 有色金属技术经济研究院有限责任公司 、 浙江金瑞泓科技股份有限公司 、 中环领先半导体材料有限公司 、 浙江海纳半导体有限公司 。 本文件主要起草人 ： 孙燕 、 宁永铎 、 钟耕杭 、 李洋 、 徐新华 、 骆红 、 杨素心 、 李素青 、 张海英 、 由佰玲 、 潘金平 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ４１３２５ — ２０２２ 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 １ 　 范围 本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 （ 以下简称 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片 ） 的技术要求 、 试验方法 、 检验规则 、 包装 、 标志 、 运输 、 贮存 、 随行文件及订货单内容 。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为 ２００ｍｍ 和 ３００ｍｍ 、 晶向 ＜ １００ ＞ 、 电阻率 ０．１ Ω · ｃｍ ～ １００ Ω · ｃｍ 的 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 。 其中 ， 注日期的引用文件 ， 仅该日期对应的版本适用于本文件 ； 不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ４０５８ 　 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 ＧＢ ／ Ｔ６６１６ 　 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 　 非接触涡流法 ＧＢ ／ Ｔ６６２４ 　 硅抛光片表面质量目测检验方法 ＧＢ ／ Ｔ１２９６２ 　 硅单晶 ＧＢ ／ Ｔ１２９６５ 　 硅单晶切割片和研磨片 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１９９２１ 　 硅抛光片表面颗粒测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２９５０４ 　 ３００ｍｍ 硅单晶 ＧＢ ／ Ｔ２９５０５ 　 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 ＧＢ ／ Ｔ２９５０７ 　 硅片平整度 、 厚度及总厚度变化测试 　 自动非接触扫描法 ＧＢ ／ Ｔ２９５０８ 　 ３００ｍｍ 硅单晶切割片和磨削片 ＧＢ ／ Ｔ３２２８０ 　 硅片翘曲度和弯曲度的测试 　 自动非接触扫描法 ＧＢ ／ Ｔ３９１４５ 　 硅片表面金属元素含量的测定 　 电感耦合等离子体质谱法 ＹＳ ／ Ｔ２８ 　 硅片包装 ＹＳ ／ Ｔ６７９ 　 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 　 表面光电压法 ＳＥＭＩＭ４３ 　 晶片纳米形貌报告指南 （ Ｇｕｉｄｅｆｏｒｒｅｐｏｒｔｉｎｇｗａｆｅｒｎａｎｏｙｏｐｇｒａｐｈｙ ） ＳＥＭＩＭ６７ 　 晶片近边缘几何形态的评价 ＥＳＦＱＲ 、 ＥＳＦＱＤ 、 ＥＳＢＩＲ 法 （ ＴｅｓｔｍｅｔｈｏｄｆｏｒｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇｗａｆｅｒｎｅａｒｅｄｇｅｇｅｏｍｅｔｒｙｆｒｏｍａｍｅａｓｕｒｅｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓｄａｔａａｒｒａｙｕｓｉｎｇｔｈｅＥＳＦＱＲ ， ＥＳＦＱＤ ， ａｎｄＥＳＢＩＲｍｅｔｒｉｃｓ ） ＳＥＭＩＭ６８ 　 晶片近边缘几何形态的评价 　 高度径向二阶导数法 （ Ｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｆｏｒｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇｗａｆｅｒｎｅａｒｅｄｇｅｇｅｏｍｅｔｒｙｆｒｏｍａｍｅａｓｕｒｅｄｈｅｉｇｈｔｄａｔａａｒｒａｙｕｓｉｎｇａｃｕｒｖａｔｕｒｅｍｅｔｒｉｃ ， ＺＤＤ ） ＳＥＭＩＭ７０ 　 晶片近边缘几何形态的评价 　 局部平整度法 （ Ｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｆｏｒｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇｗａｆｅｒｎｅａｒｅｄｇｅｇｅｏｍｅｔｒｙｕｓｉｎｇｐａｒｔｉａｌｗａｆｅｒｓｉｔｅｆｌａｔｎｅｓｓ ） １ 犌犅 ／ 犜 ４１３２５ — ２０２２ ＳＥＭＩＭ７７ 　 晶片近边缘几何形态的评价 　 边缘卷曲法 （ Ｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｆｏｒｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇｗａｆｅｒｎｅａｒｅｄｇｅｇｅｏｍｅｔｒｙｕｓｉｎｇｒｏｌｌｏｆｆａｍｏｕｎｔ ， ＲＯａ ） ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 局部光散射体 　 犾狅犮犪犾犻狕犲犱犾犻犵犺狋狊犮犪狋狋犲狉犲狉 ； 犔犔犛 晶片表面上的颗粒或蚀坑导致相对晶片表面光散射强度增加的一种孤立的特性 。 注 １ ： 局部光散射体有时被称为光点缺陷 ， 早期也被称为亮点缺陷 。 注 ２ ： 当局部光散射体的尺寸足够大时 ， 在高强度光照射下呈现为可目视观察到光点 ， 但这种观察是定性的 。 注 ３ ： 用现代自动检测技术 （ 如激光散射作用 ） 观测局部光散射体 ， 在能够区分不同散射强度的散射物的意义上 ， 自 动检测技术是定量的 。 注 ４ ： 局部光散射体的存在也未必降低晶片的实用性 。 ３ ． ２ 晶体原生凹坑 　 犮狉狔狊狋犪犾狅狉犻犵犻狀犪狋犲犱狆犻狋 ； 犆犗犘 在晶体生长中引入的一个凹坑或一些凹坑 。 注 ： 当它们与硅片表面相交时 ， 类似 ＬＬＳ 。 在使用扫描表面检查系统观察时 ， 在一些情况下它们的作用与颗粒类 似 ， 因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒 （ ｃｒｙｓｔａｌｏｒｉｇｉｎａｔｅｄｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ ）。 现代的扫描表面检查系统一般能 够从颗粒中区分出晶体原生凹坑 ， 当晶体原生凹坑存在时 ， 表面清洗或亮腐蚀可能会增大其被观察的尺寸和 数量 。 ４ 　 技术要求 ４ ． １ 　 物理性能 ４ ． １ ． １ 　 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片的导电类型 、 电阻率 、 少数载流子寿命 、 氧含量 、 碳含量 、 晶体完整性应符合 ＧＢ ／ Ｔ１２９６２ 或 ＧＢ ／ Ｔ２９５０４ 的规定 。 ４ ． １ ． ２ 　 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片的直径及允许偏差 、 表面取向 、 切口尺寸或参考面尺寸应符合 ＧＢ ／ Ｔ１２９６５ 或 ＧＢ ／ Ｔ２９５０８ 的规定 。 ４ ． ２ 　 几何参数 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片的几何参数应符合表 １ 的规定 。 表 １ 　 几何参数 单位为微米 项目不同直径 ＬｏｗＣＯＰ 抛光片几何参数的要求 ２００ｍｍ ３００ｍｍ 厚度 （ 中心点 ） 及允许偏差 ７２５±１５ ７７５±２０ 总厚度变化 ≤ ４ ≤ １．５ 弯曲度 ≤ ４０ ≤ ４０ 翘曲度 ≤ ４０ ≤ ４０ 总平整度 ≤ ３ ≤ １．０ ２ 犌犅 ／ 犜 ４１３２５ — ２０２２