ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T26072—2010 太 阳能电池用锗单晶 Germaniumsinglecrystalforsolarcell 2011-01-10发布 2011-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司负责起草。 本标准由南京中锗科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技 有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草。 本标准主要起草人:惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武。 ⅠGB/T26072—2010 太阳能电池用锗单晶 1 范围 本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包 装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T4326 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 3 术语 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 要求 4.1 分类 锗单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。 4.2 牌号 锗单晶棒的牌号表示按GB/T14844的规定。 4.3 外形尺寸 锗单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定,如客户对外形尺寸有特殊要求,供需双方另行商定。 表1 单位为毫米 直径ϕ76.2 ϕ100 直径及偏差 76.2±0.2 100±0.2 长度 ≥50 ≥50 1GB/T26072—2010 4.4 电学性能 锗单晶棒的电学性能应符合表2规定。 表2 导电类型 掺杂元素 电阻率范围/(Ω·cm) 载流子浓度/cm-3 p 镓、铟 ≤0.05 ≥1×1017 n 锑、砷 ≤0.05 ≥1×1017 4.5 晶向及偏离度 锗单晶棒的晶向取向为:<100>向<111>偏α±0.5°;<100>向<110>偏β±0.5°。 4.6 外观质量 锗单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm2的崩痕或崩边,棒体表面无 星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。 4.7 位错密度和分布要求 4.7.1 位错密度 不同规格的锗单晶按位错密度分为两个级别,用A级、B级表示,单晶棒的位错密度应符合表3的 规定。 表3 级别 A级 B级 位错密度/(个/cm2) <500 500~3000 4.7.2 分布要求 在单晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过 0.5mm2的位错团。如在晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘外出现上述位错排或位错团,则不允许 位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的。 5 试验方法 5.1 导电类型检测 按照GB/T1550或者GB/T4326规定的测量方法进行测量。 5.2 外形尺寸检测 用精度为0.02mm的游标卡尺进行测量。 5.3 外观质量 用目视法进行观察和测量。 2GB/T26072—2010