ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T12962—2015 代替GB/T12962—2005 硅 单 晶 Monocrystallinesilicon 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T12962—2005《硅单晶》。本标准与GB/T12962—2005相比,主要变化如下: ———增加了直径小于或等于50.8mm直拉硅单晶及要求(见5.1.1); ———增加了直径200mm区熔硅单晶及要求(见5.1.1); ———增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求(见5.2.1); ———修订了n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求(见5.2.1); ———增加了掺杂比为F5的中子嬗变掺杂硅单晶的要求(见5.2.1); ———修订了掺杂比为F10的中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求 (见5.2.1); ———修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求(见5.2.1); ———“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容(见 5.8); ———取样由文字描述改为表6; ———增加了订货单内容(见第9章)。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技 股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙 江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东 泰卓光电科技股份有限公司。 本标准主要起草人:孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、 杨素心、由佰玲、李丽妍。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。 ⅠGB/T12962—2015 硅 单 晶 1 范围 本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书 和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm的 硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法 非接触涡流法 GB/T11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T30453 硅材料原生缺陷图谱 3 术语和定义 GB/T14264和GB/T30453界定的术语和定义适用于本文件。 1GB/T12962—2015 4 牌号及分类 4.1 牌号 硅单晶的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 4.2 分类 4.2.1 硅单晶按生产工艺分为直拉硅单晶和区熔硅单晶两类,即直拉法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)[包括 中子嬗变掺杂(NTD)和气相掺杂(FGD)]。 4.2.2 硅单晶按导电类型分为p型、n型两种。 4.2.3 硅单晶按结晶取向可分为<100>、<111>、<110>晶向,常用晶向为<100>或<111>。 4.2.4 硅单晶按直径分为小于50.8mm、50.8mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm和200mm七种 标称直径规格和其他非标称直径规格。 5 要求 5.1 直径及允许偏差 5.1.1 硅单晶的直径及允许偏差应符合表1的规定,超出表1所列的直径及允许偏差由供需双方协商 确定。 5.1.2 未滚圆硅单晶的直径及允许偏差由供需双方协商确定。 表1 硅单晶的直径及允许偏差 单位为毫米 硅单晶直径 <50.850.8 76.2 100 125 150 200 允许偏差 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3 注:硅单晶的直径及允许偏差均指加工后的硅片标称尺寸。 5.2 电阻率及载流子寿命 5.2.1 直拉硅单晶的电阻率及载流子寿命 5.2.1.1 直拉硅单晶的电阻率范围和径向电阻率变化应符合表2的规定。表2中未涉及的规格由供需 双方协商确定。 5.2.1.2 直拉硅单晶的载流子寿命要求,由供需双方协商确定。 2GB/T12962—2015