(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111671908.1 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市北京经济技 术开发区 文昌大道8号 (72)发明人 陈洪　肖托　钟结实　郭训容　 刘建涛　 (74)专利代理 机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 1 1112 代理人 彭瑞欣　王婷 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) B08B 9/027(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 半导体工艺方法和半导体 工艺设备 (57)摘要 本发明提供一种半导体工艺方法， 应用于半 导体工艺设备中， 该半导体工艺方法包括： 在当 前的晶圆加工任务完成后， 确定至少一个清洁模 式当前的膜厚累积参数； 对于任一清洁模式， 当 该清洁模式的膜厚累积参数达到该清洁模式对 应的预设阈值时， 执行该清洁模式对应的腔室清 洁任务。 本发 明提供的半导体工艺方法能够自动 在设备每完成一个晶圆加工任务时确定膜厚累 积参数， 并在任一清洁模式的膜厚累积参数达到 对应的预设阈值时， 自动控制半导体工艺设备执 行该清洁模式对应的腔室清洁任务， 实现自动对 反应腔室进行清洁， 减小膜厚记录误差， 并降低 用人成本、 节约设备维护保养时间。 本发明还提 供一种半导体 工艺设备。 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 CN 114361075 A 2022.04.15 CN 114361075 A 1.一种半导体工艺方法， 应用于半导体工艺设备中， 其特征在于， 所述半导体工艺方法 包括： 在当前的 晶圆加工任务完成后， 确定 至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数； 对于任一所述清洁模式， 当该清洁模式的所述膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预 设阈值时， 执 行该清洁模式对应的腔室清洁任务。 2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法， 其特征在于， 所述确定至少一个清洁模式的 膜厚累积参数， 包括： 将当前的所述晶圆加工任务对应的膜厚参数增加至每个所述清洁模式历史的所述膜 厚累积参数， 得到每 个所述清洁模式当前的所述膜厚累积参数； 所述半导体方法还 包括： 在执行所述腔室清洁任务后， 将该腔室清洁任务对应的所述清洁模式的所述膜厚累积 参数清零。 3.根据权利要求2所述的半导体工艺方法， 其特征在于， 所述清洁模式的数量为多个， 每个所述清洁模式均具有对应的优先级； 所述半导体工艺方法还 包括： 当多个所述清洁模式的所述膜厚累积参数同时达到各自对应的预设阈值 时， 按照多个 所述清洁模式的优先级依次执 行多个所述清洁模式对应的多个所述腔室清洁任务。 4.根据权利要求2所述的半导体工艺方法， 其特 征在于， 所述半导体工艺方法还 包括： 在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值 时， 抛出与该清洁 模式对应的清洁告警信息 。 5.根据权利要求1所述的半导体工艺方法， 其特征在于， 所述对于任一所述清洁模式， 当该清洁模式的所述膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时， 执行该清洁模式对 应的腔室清洁任务， 包括： 在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值 时， 创建与该清洁 模式对应的所述腔室清洁任务， 并将所述腔室清洁任务插入至任务队列中当前晶圆加工任 务与下一晶圆加工任务之间。 6.根据权利要求5所述的半导体工艺方法， 其特征在于， 所述腔室清洁任务包括与 所述 清洁模式对应的清洁工艺配方； 所述执行该清洁模式对应的腔室清洁任务， 包括： 获取所述腔室清洁任务； 根据所述腔室清洁任务中的所述清洁工艺配方控制所述半导体工艺设备对其反应腔 室进行清洁。 7.一种半导体工艺设备， 包括半导体工艺组件和控制系统， 所述控制系统用于控制所 述半导体工艺组件进行半导体工艺， 其特征在于， 所述控制系统能够实现权利要求1至6中 任意一项所述的半导体工艺方法。 8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备， 其特征在于， 所述控制系统包括上位机和控 制组件， 所述上位机用于根据自身存储的任务信息， 通过所述控制组件控制所述半导体工 艺组件按照所述任务信息中的任务队列依次进行多个晶圆加工任务； 所述控制组件还用于在 当前的晶圆加工任务完成后， 将当前的晶圆加工任务对应的膜权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114361075 A 2厚参数增加至每个清洁模式历史的膜厚累积参数， 得到每个所述清洁模式当前的所述膜厚 累积参数； 获取所述上位机创建的腔室清洁任务， 并根据所述上位机的通知控制所述半导 体工艺组件执行所述腔室清洁任务； 以及， 在所述半导体工艺组件执行所述腔室清洁任务 后， 将该腔室清洁任务对应的所述清洁模式的所述膜厚累积参数清零； 所述上位机还用于在任一所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈 值时， 创建与该清洁模式对应的所述腔室清洁任务， 并将所述腔室清洁任务插入至所述任 务队列中当前晶圆加工任务与下一晶圆加工任务之间。 9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备， 其特征在于， 所述清洁模式的数量为多个， 每个所述清洁模式均具有对应的优先级； 所述上位机还用于在多个所述清洁模式的所述膜厚累积参数同时达到各自对应的所 述预设阈值时， 创建与多个所述清洁模式对应的所述腔室清洁任务， 并将多个所述腔室清 洁任务按所述优先级的大小顺序依 次插入至所述任务队列中当前晶圆加工任务与下一晶 圆加工任务之间。 10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备， 其特征在于， 所述控制组件还用于在任一 所述清洁模式的所述膜厚累积参数达到对应的所述预设阈值时， 抛出与该清洁模式对应的 清洁告警信息 。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114361075 A 3