(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210746061.7 (22)申请日 2022.06.28 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201315 上海市浦东 新区良腾路6号 (72)发明人 宋鹏　徐晓林　 (74)专利代理 机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 3121 1 专利代理师 刘昌荣 (51)Int.Cl. H01L 21/02(2006.01) H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 11/00(2006.01) (54)发明名称 改善晶圆尖 端放电缺陷的方法 (57)摘要 本发明提供一种改善晶圆尖端放电缺陷的 方法， 所述方法包括： 提供一晶圆， 所述晶圆包括 中心区及围绕所述中心区的边缘区； 在进行湿 法 工艺之前， 对 所述晶圆的边缘区进行清洗以增加 晶圆表面的导电性。 通过本发明改善现有的晶圆 在湿法工艺过程中产生尖 端放电缺陷的问题。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 115036207 A 2022.09.09 CN 115036207 A 1.一种改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特 征在于， 所述方法包括： 提供一晶圆， 所述晶圆包括中心区及围绕所述中心区的边 缘区； 在进行湿法工艺之前， 对所述晶圆的边 缘区进行清洗以增 加晶圆表面的导电性。 2.根据权利要求1所述的改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特征在于， 对所述晶圆的所 述边缘区进行清洗时所采用的清洗溶 液包括过 氧化氢。 3.根据权利要求1或2所述的改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特征在于， 所述清洗溶 液的流速为0.1ml/s～0.3ml/s。 4.根据权利要求3所述的改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特征在于， 对所述晶圆的边 缘区进行清洗的方法包括： 利用掩膜层保护所述晶圆的所述中心区； 利用喷嘴喷射所述清洗溶 液至所述 边缘区并旋转所述晶圆。 5.根据权利要求4所述的改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特征在于， 所述晶圆进行旋 转时的转速为 400rpm～600rpm。 6.根据权利要求1所述的改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 其特征在于， 在对所述晶圆的 边缘区进行清洗之前， 所述方法还 包括利用去离 子水对所述晶圆进行 预冲洗的步骤。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115036207 A 2改善晶圆尖端放电缺陷的方 法 技术领域 [0001]本发明涉及集成电路制造领域， 特别是 涉及一种改善晶圆尖端放电缺陷的方法。 背景技术 [0002]晶圆在制 备的过程中需要进行湿法工艺， 而在进行湿法工艺时， 所用到的药液从 管路携带的电荷 会首先与晶圆中心接触， 从而使得晶圆快速放电(如图1所示)， 而晶圆的快 速放电破坏晶圆表面结构从而使得晶圆形成尖端放电缺陷， 进而导致晶圆特定位置(中心 区域)良率受到损失。 发明内容 [0003]鉴于以上所述现有技术的缺点， 本发明的目的在于提供一种改善晶圆尖端放电缺 陷的方法， 用于改善现有的 晶圆在湿法工艺过程中产生尖端放电缺陷的问题。 [0004]为实现上述目的及其他相关目的， 本发明提供一种改善晶圆尖端放电缺陷的方 法， 所述方法包括： [0005]提供一晶圆， 所述晶圆包括中心区及围绕所述中心区的边 缘区； [0006]在进行湿法工艺之前， 对所述晶圆的边 缘区进行清洗以增 加晶圆表面的导电性。 [0007]可选地， 对所述晶圆的所述 边缘区进行清洗时所采用的清洗溶 液包括过 氧化氢。 [0008]可选地， 所述清洗溶 液的流速为0.1ml/s～0.3ml/s。 [0009]可选地， 对所述晶圆的边 缘区进行清洗的方法包括： [0010]利用掩膜层保护所述晶圆的所述中心区； [0011]利用喷嘴喷射所述清洗溶 液至所述 边缘区并旋转所述晶圆。 [0012]可选地， 所述晶圆进行旋转时的转速为 400rpm～600rpm。 [0013]可选地， 在对所述晶圆的边缘区进行清洗之前， 所述方法还包括利用去离子水对 所述晶圆进行 预冲洗的步骤。 [0014]如上所述， 本 发明的一种改善晶圆尖端放电缺陷的方法， 通过在湿法工艺之前， 对 晶圆的晶边进行过氧化 氢(H2O2)清洗， 使得晶圆中的电荷快速导 出， 避免在后续湿法工艺中 晶圆中心区因与药 液接触导 致快速释放电荷而产生尖端放电缺陷。 附图说明 [0015]图1显示为现有的湿法工艺中存在的尖端放电缺陷的示 意图。 [0016]图2显示为本发明的改善晶圆尖端放电缺陷的方法的流 程图。 [0017]图3显示为利用本发明提供 方法所实现的电荷导出示 意图。 [0018]图4显示为晶圆利用现有湿法工艺进行处 理后的晶圆图。 [0019]图5显示为晶圆利用本发明所提供 方法进行处 理后的晶圆图。说　明　书 1/3 页 3 CN 115036207 A 3