(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210917398.X (22)申请日 2022.08.01 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技 术开发 区空港工业园兴业大道38 8号 (72)发明人 马姣　张巧峰　 (74)专利代理 机构 北京律智知识产权代理有限 公司 11438 专利代理师 王辉 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B05B 12/16(2018.01) B05B 12/08(2006.01) (54)发明名称 半导体结构的清洗装置、 清洗系统及清洗方 法 (57)摘要 本公开是关于结构设计技术领域， 涉及一种 半导体结构 的清洗装置、 清洗系统和清洗方法。 本公开的清洗装置包括驱动件、 第一喷嘴以及第 二喷嘴， 其中： 驱动件与半导体结构固定连接， 并 能驱动半导体结构旋转； 第一喷嘴设于半导体结 构的一侧， 用于向半导体结构的第一区域喷射第 一雾化液滴； 第二喷嘴与第一喷嘴设于半导体结 构的同一侧， 用于向半导体结构的第二区域喷射 第二雾化液滴， 第一区域与第二区域至少部分重 合。 本公开的清洗装置可减少缺陷来源， 提高产 品良率。 权利要求书2页 说明书12页 附图4页 CN 115295447 A 2022.11.04 CN 115295447 A 1.一种半导体结构的清洗装置， 其特 征在于， 包括： 驱动件， 与所述半导体结构连接， 并能驱动所述半导体结构旋转； 第一喷嘴， 设于所述半导体结构的一侧， 用于向所述半导体结构的第一区域喷射第一 雾化液滴； 第二喷嘴， 与所述第一喷嘴设于所述半导体结构的同一侧， 用于向所述半导体结构的 第二区域喷射第二雾化液滴， 所述第一区域与所述第二区域至少部分重合。 2.根据权利要求1所述的清洗装置， 其特征在于， 所述半导体结构沿竖直方向设置， 所 述第一区域包括所述半导体结构的顶部 向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的 顶部向下四分之一处的水平边界围成的区域。 3.根据权利要求2所述的清洗装置， 其特征在于， 所述第 二区域包括所述半导体结构的 顶部向下六分之一处的水平边界与所述半导体结构的顶部 向下四分之一处的水平边界围 成的区域。 4.根据权利要求3所述的清洗装置， 其特征在于， 所述第 一喷嘴与所述第 一区域的顶部 水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为50 °～60°， 所述第一喷嘴与所述 第一区域的底部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表面的夹角为40 °～45°； 和/ 或 所述第二喷嘴与所述第二区域的顶部水平边界的最短连接线与所述半导体结构的表 面的夹角为100 °～110°， 所述第二喷嘴与所述第二区域的底部水平边界的最短连接线与所 述半导体结构的表面的夹角为70 °～75°。 5.根据权利要求4所述的清洗装置， 其特征在于， 在水平方向上， 所述第一喷嘴与所述 半导体结构的间距为6 cm～8cm； 和/或 在所述水平方向上， 所述第二喷 嘴与所述半导体结构的间距为6 cm～8cm。 6.根据权利要求5所述的清洗装置， 其特征在于， 在竖直方向上， 所述第一喷嘴与所述 半导体结构的顶部的间距为1.8cm～ 2.2cm； 和/或 在所述竖直方向上， 所述第二喷 嘴与所述第一喷 嘴的间距为8cm～ 9cm。 7.根据权利要求1 ‑6任一项所述的清洗装置， 其特 征在于， 所述清洗装置还 包括： 第一管道， 与所述第一喷嘴连接， 用于向所述第 一喷嘴输送第一液体， 所述第 一喷嘴能 将所述第一液体雾化， 以形成所述第一雾化液滴； 第二管道， 与所述第二喷嘴连接， 用于向所述第 二喷嘴输送第二液体， 所述第 二喷嘴能 将所述第二液体雾化， 以形成所述第二雾化液滴。 8.根据权利要求7所述的清洗装置， 其特征在于， 所述第 一喷嘴喷射的所述第 一雾化液 滴的流速为80 0ml/min～1500ml/min； 和/或 所述第二喷 嘴喷射的所述第二雾化液滴的流速为80 0ml/min～1500ml/min。 9.根据权利要求8所述的清洗装置， 其特征在于， 所述第一喷嘴的数量为多个， 多个所 述第一喷 嘴沿所述第一管道的延伸方向间隔设置； 和/或 所述第二喷嘴的数量为多个， 多个所述第二喷嘴沿所述第二管道的延伸方向间隔设 置。 10.根据权利要求9所述的清洗装置， 其特征在于， 多个所述第一喷嘴能喷射出多种不 同直径的第一雾化液滴； 和/或权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115295447 A 2多个所述第二喷 嘴能喷射出多种不同直径的第二雾化液滴。 11.根据权利要求10所述的清洗装置， 其特征在于， 相邻的所述第 一喷嘴喷射的所述第 一雾化液滴的直径不同； 和/或 相邻的所述第二喷 嘴喷射的所述第二雾化液滴的直径不同。 12.根据权利要求7所述的清洗装置， 其特征在于， 所述第一喷嘴和所述第二喷嘴均包 括喷管， 所述喷管具有旋流腔， 所述旋流腔内设有旋转叶片， 所述第一液体经过所述旋流腔 后形成所述第一雾化液滴； 和/或 所述第二液体经 过所述旋流腔后形成所述第二雾化液滴。 13.根据权利要求1 ‑6任一项所述的清洗装置， 其特 征在于， 所述清洗装置还 包括： 控制器， 包括第 一控制部和第 二控制部， 所述第 一控制部用于控制所述第 一喷嘴旋转， 以使所述第一喷嘴喷射的所述第一雾化液滴落入所述第一区域内， 所述第二控制部用于控 制所述第二喷 嘴旋转， 以使所述第二喷 嘴喷射的所述第二雾化液滴 落入所述第二区域内。 14.根据权利要求1 ‑6任一项所述的清洗装置， 其特征在于， 所述驱动件驱动所述半导 体结构旋转的转速为 45转/分钟～5 5转/分钟。 15.一种半导体结构的清洗系统， 其特征在于， 包括权利要求1 ‑14任一项所述的半导体 结构的清洗装置， 以及第一供液装置和第二供液装置， 所述第一供液装置与所述第一喷嘴 连接， 用于 向所述第一喷嘴提供形成所述第一雾化液滴的原料， 所述第二供液装置与所述 第二喷嘴连接， 用于向所述第二喷 嘴提供形成所述第二雾化液滴的原料。 16.一种半导体结构的清洗方法， 其特征在于， 使用权利要求1 ‑14任一项所述的半导体 结构的清洗装置或权利要求15所述的半导体结构的清洗系统对所述半导体结构进行清洗 。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115295447 A 3